Осенью этого года американский чипмейкер Qualcomm представит свою новую платформу для смартфонов Snapdragon 8 Gen 4, которая станет основой многих флагманских смартфонов 2024-2025 года, а теперь по грядущей новинке появились новые технические подробности.
Как утверждает известный инсайдер Digital Chat Station на своей страничке в Weibo, частота производительных ядер нового процессора достигнет рекордных 4,2 ГГц, что обеспечит новому чипу порядка 3000 и 10 000 баллов в одноядерном и многоядерном режимах в тестовом пакете Geekbench соответственно.
Судя по всему, так существенно повысить частоту ядер Snapdragon 8 Gen 4 инженерам Qualcomm позволит переход на 3-нм техпроцесс от тайваньской TSMC, хотя такое повышение выглядит столь радикально, что вопросы о повышенном энергопотреблении возникают сами по себе.
Дополнительно можно отметить, что в Сети уже не первый месяц ходит информация о том, что будущая флагманская однокристальная система Snapdragon 8 Gen 4 будет существенно дороже относительно своей предшественницы в лице Snapdragon 8 Gen 3.
Напомним, будущая SoC Snapdragon 8 Gen 4 станет первым решением Qualcomm на основе фирменных ядер Nuvia Phoenix L и Phoenix M, над которыми компания уже длительное время работает, купив стартап Nuvia — от ядер Arm в своей продукции разработчик, судя по всему, собрался отказаться.
К слову, на рынке мобильных чипов для топовых смартфонов Snapdragon 8 Gen 4 будет конкурировать с платформой Dimensity 9400 от тайваньского чипмейкера MediaTek, которая также увидит свет осенью этого года, о чём мы уже писали тут.
Зато зимой будет хорошо и тепло в кармане 🙂
Что-то мне подсказывает, что Квалком знатно обосрется со своими «фирменными» ядрами — зря они от Arm ушли ?
Кстати, ходят слухи, что флагманы на Snapdragon 8 Gen 4 будут иметь аккумуляторы на 6000 мАч, что связывают с повышенной «прожорливостью» нового чипа 🙂