Закрыть


Наш канал в Telegram
Наша группа ВКонтакте
Наш канал в Яндекс.Дзен
Xiaomi HyperOS | 
Сегодня
 4 декабря 2024

У Samsung ничего не получается в освоении 3-нм техпроцесса

Судя по всему, работы над технологией 3-нм GAA превратились для инженеров компании Samsung в настоящую головную боль.

12.11.24
У Samsung ничего не получается в освоении 3-нм техпроцесса

Изображение: открытые источники

Компания Samsung активно участвует в гонке 3-нм решений со своим фирменным техпроцессом Gate-All-Around (GAA), но выход годной продукции по данным технологическим нормам пока не достиг удовлетворительного уровня, говорится в новой утечке из Южной Кореи.

Samsung изначально поставила амбициозную цель в 70% выхода годных чипом для своих 3-нм техпроцессов GAA первого и второго поколения, но теперь эта цель кажется недостижимой.

Как сообщается, первая итерация, получившая название SF3E-3GAE, показывает себя сравнительно лучше, демонстрируя результат порядка 50–60% годных чипов, но всё ещё не достигает уровня, необходимого для того, чтобы сделать технологию коммерчески привлекательной.

У Samsung ничего не получается в освоении 3-нм техпроцесса

Похоже, что это ключевая причина отсутствия у Samsung новых клиентов, готовых разметить заказы на 3-нм продукцию на техпроцессе GAA, а решение Qualcomm производить новейший чипсет Snapdragon 8 Elite исключительно на 3-нм техпроцессе N3E от тайваньской TSMC весьма показательно подтверждает это.

Однако перспективы второго поколения 3-нм процесса Samsung, названного SF3-3GAP, ещё мрачнее. В отчете говорится, что его показатели выхода годных микросхем составляют всего 20%, что составляет менее трети от первоначальной цели.

У Samsung ничего не получается в освоении 3-нм техпроцесса

Такое отсутствие прогресса в плане освоению более тонких технологических норм может ещё больше подорвать доверие к 3-нм производству Samsung и потенциально может подтолкнуть даже южнокорейских клиентов к более устоявшейся 3-нм технологии от TSMC.

Судя по всему, работы над технологией 3-нм GAA превратились для Samsung в настоящую головную боль и, если верить ряду утечек, производитель активно перераспределяет ресурсы и опытные команды разработчиков в сторону своего будущего 2-нм техпроцесса.

У Samsung ничего не получается в освоении 3-нм техпроцесса

По слухам, неназванный флагманский чипсет Exynos под кодовым названием Ulysses разрабатывается с учётом использования технологии SF2P. Ожидается, что этот чип дебютирует в будущей модели Galaxy S — вероятно, это будет Samsung Galaxy S27, который увидит свет в 2027 году.

Здесь стоит отметить, что у TSMC в этом плане всё отлично — ещё в прошлом году компания начала массовый выпуск чипов по 3-нм техпроцессу N3 для Apple, а в этом году приступила к производству по обновлённому 3-нм техпроцессу N3E для Qualcomm, MediaTek и других крупных заказчиков.

Via: открытые источники
Мы в социальных медиа, где ещё больше интересного: 
Наш канал в Telegram
Наша группа ВКонтакте
Наш канал в Яндекс.Дзен
Присоединяйтесь!
Комментарии
2

Добавить комментарий

Комментарии
2
Показать все
Добавить комментарий...
scroll to top